ОГЛЯД ДОСЯГНЕНЬ В ТЕРАГЕРЦОВИХ КОМУНІКАЦІЙНИХ СИСТЕМАХ
DOI:
https://doi.org/10.33405/2409-7470/2016/1/27/139212Ключові слова:
терагерцовий зв’язок, характеристика каналу, терагерцова електроніка, швидкість передавання даних, гігабітний бездротовий каналАнотація
Представлено огляд досягнень та проблем в області терагерцових комунікацій, орієнтованих на швидкість передавання даних близько 100 Гбіт/с. Показано, що проблема збільшення швидкості бездротового передавання даних є пріоритетною для багатьох дослідницьких центрів. Доведено, що частота близько 300 ГГц є найбільш підходящою для збільшення швидкості передавання даних. Подано короткий огляд напівпровідникових приладів з граничною частотою, що знаходиться в терагерцовому діапазоні.
Посилання
Кравчук, С. О. Телекомунікаційні системи терагерцового діапазону [Текст] : монографія / С. О. Кравчук, Т. М. Наритник. – Житомир : ФОП “Євенок О. О.”, 2014. – 394 с.
Narytnik, Т. N. Possibilities of Using THz-Band Radio Communication Channels for Super High-Rate Backhaul / Т. N. Narytnik // Telecommunications and Radio Engineering. – 2014. – V. 73, № 15. – P. 1361–1371.
Federici, J. Review of terahertz and subterahertz wireless communications / J. Federici, L. Moeller // Journal of Applied Physics. – 2010. – V. 107, № 11. – Article ID 111101. – P. 22.
Mann, C. M. Towards terahertz communication systems / C. M. Mann // Terahertz sources and systems. Ed. by R. Miles et al. – Amsterdam : Kluwer Academic, 2001. – P. 261–267.
Song, H.-J. Present and future of terahertz communications / H.-J. Song, T. Nagatsuma // IEEE Transactions of Terahertz Science and Technology. – 2011. – V. 1, № 1. – P. 256–263.
Armstrong, C. M. The truth about terahertz / C. M. Armstrong // IEEE Spectrum. – 2012. – № 9. – P. 36–41.
Kleine-Ostermann, T. A review on terahertz communication research / T. Kleine-Ostermann, T. Nagatsuma // Journal of Infrared, Millimeter and Terahertz Waves. – 2011. –V. 32, № 2. – P. 143–171.
Terahertz wireless communications based on photonics technologies / T. Nagatsuma, S. Horiguchi, Y. Minamikata et al. // Optics Express. – 2013. – V. 21, № 21. – P. 23736–23747.
Thomas Kürner. Towards Future THz Communications Systems // Terahertz Science and Technology. – 2012. –V. 5, № 1. – P. 11–16.
10-Gbit/s bi-directional and 20-Gbit/s uni-directional data transmission over a 120-GHz-band wireless link using a finline ortho-mode transducer / J. Takeuchi, A. Hirata, H. Takahashi, N. Kukutsu // Proceedings of the Asia-Pacific Microwave Conference. – Yokohama, Japan, 2010. – P. 195 – 198.
Optically power supplied Gbit/s wireless hotspot using 1.55 μm THz photomixer and heterodyne detection at 200 GHz / G. Ducournau, P. Szriftgiser, D. Bacquet et al. // Electronics Letters. – 2010. – V. 46, № 19. – P. 1349–1351.
All active MMIC-based wireless communication at 220 GHz / I. Kallfass, J. Antes, T. Schneider et al. // IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology. – 2011. – V. 1, № 2. – P. 477–487.
300 GHz transmission system / C. Jastrow, K. Münter, R. Piesiewicz et al. // Electronics Letters. – 2008. – V. 44, № 3. – P. 213–214.
A survey of terahertz applications in cultural heritage conservation science / J. B. Jackson, J. Bowen, G. Walker et al. // IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology. – 2011. – V. 1, № 1. – P. 220–231.
Wireless Digital Data Transmission at 300 GHz / C. Jastrow, S. Priebe, B. Spitschan et al. // IET Electronics Letters. – 2010. –V. 46, № 9. – P. 661–663.
Giga-Bit Wireless Link Using 300-400 GHz Bands / T. Nagatsuma, H. Song, Y. Fujimoto et al. // Proc. International Topical Meeting on Microwave Photonics (MWP). 5 electronic. Valencia. – 2009.
Moeller, L. THz Wireless Communications: 2,5 Gb/s Error-Free Transmission at 625 GHz Using a Narrow-Bandwidth 1 mW THz Source / L. Moeller, J. Federici, K. Su // 30th URSI General Assembly and Scientific Symposium (URSI GASS). 4 electronic. – Istanbul. – 2011.
Майская, В. Освоение терагерцовой щели. Полупроводниковые приборы вторгаются в субмиллиметровый диапазон [Текст] / В. Майская // Электроника. Наука. Технология. Бизнес. – 2011. – № 8. – С. 74–87.
Fabrication of 150-nm T-Gate Metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on GaAs Substrates by MOCVD / Haiou Li, Zhihong Feng et al. // IEEE Electron Device Letters. – 2011. – V. 32, № 9. – Р. 1224–1226.
Cluster for Application and Technology Research in Europe on NanoElectronics [Електронний ресурс]. – Режим доступу : http://www.catrene.org/web/projects/local_index.php. – Назва з екрана.