МОДЕЛЮВАННЯ ПРОЦЕСУ ЕЛЕКТРОМАГНІТНОГО ПОШКОДЖЕННЯ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУР РАДІОЕЛЕКТРОННОЇ АПАРАТУРИ ТЕЛЕКОМУНІКАЦІЙНИХ СИСТЕМ
DOI:
https://doi.org/10.33405/2409-7470/2024/2/44/319524Ключові слова:
імпульс струму, напівпровідникові структури, телекомунікаційні системиАнотація
Проведено моделювання процесу пошкодження напівпровідникових структур при проходженні імпульсів струму різної форми. Отримані вирази оцінювання кількості виділеної потужності за певних умов впливу імпульсу струму на складних напівпровідникових структурах телекомунікаційних систем.
Посилання
Wunsch D. S., Bell R. R. Determination of threshold failure level of semiconductors diodes and transistors due to pulse voltage. IEEE Trans. on Nuclear Sci. 1968. Vol. 15. N 6. Рp. 244 – 259.
Antinone R. J. How to prevent circuit zapping. IEEE Spectrum. 1987. Vol. 4. N 24. Рp. 34 – 38.
Whalen J. J. A comparison of DC and RF pulse susceptibilities of UHF transistors. IEEE Trans. on Electromagnetic Compatibility. 1977. Vol. 19. N 9. Рp. 49 – 56.
Фик О. І., Кучер Д. Б. Порівняльна характеристика енергетичного потенціалу вражаючих факторів радіочастотної та традиційної зброї, що завдає механічні пошкодження. Актуальні проблеми діяльності складових сектору безпеки і оборони України в умовах особливих правових режимів: поточний стан та шляхи вирішення: тез. доп. Всеукраїнської наук.-прак. конф. м. Харків, 28 бер. 2024. р. Харків, 2024. С. 281 – 283.
Fyk O. I. Research of the conditions of use of experimental method for qualification control and quantitative estimate the stability functioning of the radioelectronic device under the influence of the destructive effect of the electromagnetic wave. Technology audit and production reserves. 2018. № 5/2 (43). Pр.17 – 25.
Shurenkov V. V., Pershenkov V. S. Electromagnetic Pulse Effects and Damage Mechanism on Semiconductor Electronics. Facta Universitatis. Electronics and Energetics. 2016. Vol. 24. Рp. 621 – 629.
Paul T., Zwierlein H. Electromagnetic Pulse (EMP) Impact on Modern Electronics : A Review of Testing Methods. Journal of Electrical Engineering and Technology. 2015. Vol. 10 (2). Рp. 123 – 135.
Dwyer V. M., Franklin A. J., Campbell D. S. Electromagnetic discharge thermal failure in semiconductor devices. IEEE Trans. on Electr. Dev. 1990. Vol. 37. N 11. Рp. 2381 – 2387.
Shousha A. H. M. Negative differential conductivity due to electrothermal instabilities in thin amorphous films. J. Appl. Phys. 1971. Vol. 42. N 12. Рp. 5131 – 5236.
Lange T. J., Hjellen G. A. A comparison of test and model-predicted RF-pulse susceptibilities of UHF transistors. IEEE Trans. on Electromagnetic Compatibility. 1978. Vol. 20. N. 4. Рp.513, 514.
Баранюк Р. А. Теплове моделювання силових напівпровідникових пристроїв. ElectronComm. 2016. Vol. 21. № 3 (92). С. 10 – 16.
Chen S. H. & Yu D. M. Global existence and blowup solutions for quasilinear parabolic equations. Journal of Mathematical Analysis and Applications. 2007. Рр. 151–167.
Invention and Technological Progresses of Integrated Circuits / Wang, Y., Chi M.H., Lou J. Jс., Chen Cz. Handbook of Integrated Circuit Industry. Springer, Singapore, 2024.
